Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.52fr | 0.56fr |
5 - 9 | 0.50fr | 0.54fr |
10 - 24 | 0.47fr | 0.51fr |
25 - 49 | 0.41fr | 0.44fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.52fr | 0.56fr |
5 - 9 | 0.50fr | 0.54fr |
10 - 24 | 0.47fr | 0.51fr |
25 - 49 | 0.41fr | 0.44fr |
50 - 99 | 0.38fr | 0.41fr |
Diode 1N5399. Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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