Diode 1N5406H

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 1	1.06fr	1.15fr
2 - 2	1.00fr	1.08fr
3 - 4	0.95fr	1.03fr
5 - 9	0.90fr	0.97fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
25 - 28	0.73fr	0.79fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 1	1.06fr	1.15fr
2 - 2	1.00fr	1.08fr
3 - 4	0.95fr	1.03fr
5 - 9	0.90fr	0.97fr
10 - 24	0.85fr	0.92fr
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Lot de 10

Diode 1N5406H. Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: entraxe 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.

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