Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.35fr | 0.38fr |
5 - 9 | 0.33fr | 0.36fr |
10 - 24 | 0.31fr | 0.34fr |
25 - 49 | 0.30fr | 0.32fr |
50 - 99 | 0.28fr | 0.30fr |
100 - 149 | 0.26fr | 0.28fr |
150 - 1797 | 0.25fr | 0.27fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.35fr | 0.38fr |
5 - 9 | 0.33fr | 0.36fr |
10 - 24 | 0.31fr | 0.34fr |
25 - 49 | 0.30fr | 0.32fr |
50 - 99 | 0.28fr | 0.30fr |
100 - 149 | 0.26fr | 0.28fr |
150 - 1797 | 0.25fr | 0.27fr |
Diode BAS21. Diode. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode de commutation haute tension. IF(AV): 200mA. IFSM: 625mA. Remarque: sérigraphie/code CMS JS. IRM (max): 100uA. IRM (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: JS. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 250V. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.
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