Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.22fr | 0.24fr |
5 - 9 | 0.21fr | 0.23fr |
10 - 24 | 0.20fr | 0.22fr |
25 - 49 | 0.19fr | 0.21fr |
50 - 99 | 0.17fr | 0.18fr |
100 - 149 | 0.16fr | 0.17fr |
150 - 956 | 0.15fr | 0.16fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.22fr | 0.24fr |
5 - 9 | 0.21fr | 0.23fr |
10 - 24 | 0.20fr | 0.22fr |
25 - 49 | 0.19fr | 0.21fr |
50 - 99 | 0.17fr | 0.18fr |
100 - 149 | 0.16fr | 0.17fr |
150 - 956 | 0.15fr | 0.16fr |
Diode BAS316. Diode. Cj: 1.5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diode haute vitesse. Date de production: 2014/22. IF(AV): 0.5A. IFSM: 1A. Marquage sur le boîtier: A6. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOD-323. Boîtier (selon fiche technique): SOD-323. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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