Quantité (Lot de 25) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.76fr | 0.82fr |
2 - 3 | 0.72fr | 0.78fr |
4 - 9 | 0.68fr | 0.74fr |
10 - 19 | 0.64fr | 0.69fr |
20 - 39 | 0.60fr | 0.65fr |
40 - 3611 | 0.57fr | 0.62fr |
Quantité (Lot de 25) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.76fr | 0.82fr |
2 - 3 | 0.72fr | 0.78fr |
4 - 9 | 0.68fr | 0.74fr |
10 - 19 | 0.64fr | 0.69fr |
20 - 39 | 0.60fr | 0.65fr |
40 - 3611 | 0.57fr | 0.62fr |
Diode BAW56. Diode. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. VRRM: 80V. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.
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