Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V - BAW56

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1 - 1	0.77fr	0.83fr
2 - 3	0.74fr	0.80fr
4 - 9	0.70fr	0.76fr
10 - 19	0.66fr	0.71fr
20 - 39	0.62fr	0.67fr
40 - 3805	0.58fr	0.63fr

Quantité (Lot de 25)	U.P
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Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V - BAW56. Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 08:25.

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