Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.35fr | 0.38fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.32fr | 0.35fr |
50 - 99 | 0.30fr | 0.32fr |
100 - 249 | 0.27fr | 0.29fr |
250 - 384 | 0.26fr | 0.28fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.35fr | 0.38fr |
10 - 24 | 0.34fr | 0.37fr |
25 - 49 | 0.32fr | 0.35fr |
50 - 99 | 0.30fr | 0.32fr |
100 - 249 | 0.27fr | 0.29fr |
250 - 384 | 0.26fr | 0.28fr |
Diode BY500-1000. Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement rapide au silicium. IF(AV): 5A. IFSM: 200A. IRM (max): 10uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
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