Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.32fr | 1.43fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.19fr | 1.29fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 99 | 1.10fr | 1.19fr |
100 - 221 | 0.99fr | 1.07fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.32fr | 1.43fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.19fr | 1.29fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 99 | 1.10fr | 1.19fr |
100 - 221 | 0.99fr | 1.07fr |
Diode BYV28-200. Diode. Cj: 190pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 30 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Avalanche Sinterglass Diode Fast'. Date de production: 201412. IF(AV): 3.5A. IFSM: 90A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: BYV28-200. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SOD-64 ( Glass ). Boîtier (selon fiche technique): SOD-64 Glass. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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