Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78fr | 1.92fr |
5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
10 - 24 | 1.60fr | 1.73fr |
25 - 49 | 1.52fr | 1.64fr |
50 - 69 | 1.48fr | 1.60fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.78fr | 1.92fr |
5 - 9 | 1.69fr | 1.83fr |
10 - 24 | 1.60fr | 1.73fr |
25 - 49 | 1.52fr | 1.64fr |
50 - 69 | 1.48fr | 1.60fr |
Diode BYV42E-200. Diode. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 20 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 15A. IFSM: 75A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 0.5mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 3. Fonction: Diodes de redressement, ultrarapides, robustes. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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