Circuit intégré MC33152DR2G
| Quantité | HT | TTC |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.05fr | 2.22fr |
| 5 - 9 | 1.95fr | 2.11fr |
| 10 - 24 | 1.89fr | 2.04fr |
| 25 - 49 | 1.85fr | 2.00fr |
| 50 - 99 | 1.81fr | 1.96fr |
| 100 - 249 | 1.45fr | 1.57fr |
| 250 - 566 | 1.40fr | 1.51fr |
| Quantité | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 2.05fr | 2.22fr |
| 5 - 9 | 1.95fr | 2.11fr |
| 10 - 24 | 1.89fr | 2.04fr |
| 25 - 49 | 1.85fr | 2.00fr |
| 50 - 99 | 1.81fr | 1.96fr |
| 100 - 249 | 1.45fr | 1.57fr |
| 250 - 566 | 1.40fr | 1.51fr |
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Circuit intégré MC33152DR2G. Circuit intégré. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Type de circuits: Circuit de commande MOSFET/IGBT. Nombre de circuits: 2. Tension d'alimentation mini (V): +6.1V. Tension d'alimentation maxi (V): +18V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 05/07/2025, 05:25.
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