Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33fr | 1.44fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.19fr | 1.29fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 99 | 1.10fr | 1.19fr |
100 - 141 | 0.99fr | 1.07fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.33fr | 1.44fr |
5 - 9 | 1.26fr | 1.36fr |
10 - 24 | 1.19fr | 1.29fr |
25 - 49 | 1.13fr | 1.22fr |
50 - 99 | 1.10fr | 1.19fr |
100 - 141 | 0.99fr | 1.07fr |
Diode 12CWQ10FN. Diode. Cj: 183pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.
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