Quantité (Lot de 5) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 2 | 0.74fr | 0.80fr |
3 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 19 | 0.63fr | 0.68fr |
20 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 99 | 0.34fr | 0.37fr |
100 - 2490 | 0.32fr | 0.35fr |
Quantité (Lot de 5) | U.P | |
---|---|---|
1 - 2 | 0.74fr | 0.80fr |
3 - 4 | 0.70fr | 0.76fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 19 | 0.63fr | 0.68fr |
20 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 99 | 0.34fr | 0.37fr |
100 - 2490 | 0.32fr | 0.35fr |
Diode, soudure sur circuit imprimé, DO-35, 0.5A - 1N4149TR. Diode, soudure sur circuit imprimé, DO-35, 0.5A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. If [A]: 0.5A. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Ifsm [A]: 4A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 01:25.
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