Diode 1N4149TR

Quantité (Lot de 5)	HT	TTC
1 - 2	0.74fr	0.80fr
3 - 4	0.70fr	0.76fr
5 - 9	0.67fr	0.72fr
10 - 19	0.63fr	0.68fr
20 - 49	0.37fr	0.40fr
50 - 99	0.34fr	0.37fr
100 - 2891	0.32fr	0.35fr

Quantité (Lot de 5)	U.P
1 - 2	0.74fr	0.80fr
3 - 4	0.70fr	0.76fr
5 - 9	0.67fr	0.72fr
10 - 19	0.63fr	0.68fr
20 - 49	0.37fr	0.40fr
50 - 99	0.34fr	0.37fr
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Lot de 5

Diode 1N4149TR. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

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