Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.41fr	0.44fr
10 - 24	0.39fr	0.42fr
25 - 49	0.37fr	0.40fr
50 - 99	0.35fr	0.38fr
100 - 249	0.34fr	0.37fr
250 - 499	0.30fr	0.32fr
500 - 3495	0.28fr	0.30fr

Quantité	U.P
1 - 9	0.41fr	0.44fr
10 - 24	0.39fr	0.42fr
25 - 49	0.37fr	0.40fr
50 - 99	0.35fr	0.38fr
100 - 249	0.34fr	0.37fr
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Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V - 30BQ100. Diode, 3A, 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms), DO-214, SMC (8.1x6.2x2.6mm), 100V. IF(AV): 3A. IFSM: 800A (tp=5us), 70A (tp=10ms). Boîtier: DO-214. Boîtier (selon fiche technique): SMC (8.1x6.2x2.6mm). VRRM: 100V. Cj: 115pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. IRM (max): 5mA. IRM (min): 0.5mA. Marquage sur le boîtier: 3J. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.96V. Tension de seuil Vf (min): 0.62V. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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