Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 11.62fr | 12.56fr |
2 - 2 | 11.04fr | 11.93fr |
3 - 4 | 10.46fr | 11.31fr |
5 - 9 | 9.88fr | 10.68fr |
10 - 13 | 9.65fr | 10.43fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 11.62fr | 12.56fr |
2 - 2 | 11.04fr | 11.93fr |
3 - 4 | 10.46fr | 11.31fr |
5 - 9 | 9.88fr | 10.68fr |
10 - 13 | 9.65fr | 10.43fr |
Diode 70HFR80. Diode. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: boîtier relié à l'anode. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 70A. IF(RMS): 110A. IFSM: 1200A. Nombre de connexions: 1. RoHS: oui. Montage/installation: à visser. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+180°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 0.79V. VRRM: 800V. Remarque: filetage M6. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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