Diode 80EBU04

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.92fr	7.48fr
2 - 2	6.57fr	7.10fr
3 - 4	6.23fr	6.73fr
5 - 9	5.88fr	6.36fr
10 - 13	5.74fr	6.20fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.92fr	7.48fr
2 - 2	6.57fr	7.10fr
3 - 4	6.23fr	6.73fr
5 - 9	5.88fr	6.36fr
10 - 13	5.74fr	6.20fr

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Diode 80EBU04. Diode. Cj: 50pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 80A. IFSM: 800A. IRM (max): 2mA. IRM (min): 50uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 0.92V. VRRM: 400V. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.

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