Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 1.36fr | 1.47fr |
2 - 2 | 1.29fr | 1.39fr |
3 - 4 | 1.22fr | 1.32fr |
5 - 9 | 1.16fr | 1.25fr |
10 - 24 | 1.09fr | 1.18fr |
25 - 49 | 1.02fr | 1.10fr |
50 - 982 | 0.95fr | 1.03fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 1.36fr | 1.47fr |
2 - 2 | 1.29fr | 1.39fr |
3 - 4 | 1.22fr | 1.32fr |
5 - 9 | 1.16fr | 1.25fr |
10 - 24 | 1.09fr | 1.18fr |
25 - 49 | 1.02fr | 1.10fr |
50 - 982 | 0.95fr | 1.03fr |
Diode BAS34. Diode. Cj: 3pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. IRM (max): 0.5uA. IRM (min): 1nA. Nombre de connexions: 2. Température: +175°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Tension de seuil Vf (max): 1V. VRRM: 70V. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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