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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v - BAS85

Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v - BAS85
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Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v - BAS85. Diode, 0.2A, 4A, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semicon. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.

Documentation technique

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Diode, 30V, 0.2A, 10pF, 12.7k Ohms, SOD-80C, 30 v. VRRM: 30V. Courant redressé moyen par diode: 0.2A. Boîtier: 10pF. Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Type de diode: Schottky. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <0.80V / 0.1A. Type de montage: SMD. Courant de fuite inverse: 2uA / 25V. Série: BAS. Temps de récupération inverse (max): 2uA. Information: 0.2uA. MSL: 200mW. RoHS: oui. Spec info: IFSM 0.6A t=1s. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V
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