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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode BAS85

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Diode BAS85. Diode. Cj: 10pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. IRM (max): 2uA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: 12.7k Ohms. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.

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