Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.72fr | 0.78fr |
2 - 2 | 0.68fr | 0.74fr |
3 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.61fr | 0.66fr |
10 - 24 | 0.58fr | 0.63fr |
25 - 49 | 0.54fr | 0.58fr |
50 - 1059 | 0.50fr | 0.54fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.72fr | 0.78fr |
2 - 2 | 0.68fr | 0.74fr |
3 - 4 | 0.65fr | 0.70fr |
5 - 9 | 0.61fr | 0.66fr |
10 - 24 | 0.58fr | 0.63fr |
25 - 49 | 0.54fr | 0.58fr |
50 - 1059 | 0.50fr | 0.54fr |
Diode BAT54S-215. Diode. RoHS: oui. Cj: 10pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 5 ns. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: double diode Schottky. IF(AV): 200mA. IFSM: 600mA. IRM (max): 2uA. IRM (min): 0.4V @ 10mA. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Nombre de connexions: 3. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. VRRM: 30 v. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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