Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.85fr | 0.92fr |
2 - 2 | 0.81fr | 0.88fr |
3 - 4 | 0.77fr | 0.83fr |
5 - 9 | 0.75fr | 0.81fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
50 - 787 | 0.59fr | 0.64fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.85fr | 0.92fr |
2 - 2 | 0.81fr | 0.88fr |
3 - 4 | 0.77fr | 0.83fr |
5 - 9 | 0.75fr | 0.81fr |
10 - 24 | 0.72fr | 0.78fr |
25 - 49 | 0.63fr | 0.68fr |
50 - 787 | 0.59fr | 0.64fr |
Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA - BAV199. Diode, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 85V, 200mA, 500mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. IF(AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Trr Diode (Min.): 0.6us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: double diode à faible fuite. Date de production: 2014/49. IRM (max): 80nA. IRM (min): 5nA. Marquage sur le boîtier: JYs. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 04/09/2025, 04:56.
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