Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V - BAW56

Quantité (Lot de 10)	HT	TTC
1 - 4	0.45fr	0.49fr
5 - 9	0.42fr	0.45fr
10 - 24	0.40fr	0.43fr
25 - 49	0.38fr	0.41fr
50 - 99	0.29fr	0.31fr
100 - 149	0.27fr	0.29fr
150 - 208	0.26fr	0.28fr

Quantité (Lot de 10)	U.P
1 - 4	0.45fr	0.49fr
5 - 9	0.42fr	0.45fr
10 - 24	0.40fr	0.43fr
25 - 49	0.38fr	0.41fr
50 - 99	0.29fr	0.31fr
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Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V - BAW56. Diode, 200mA, 1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 80V. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 04:25.

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