Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.38fr | 0.41fr |
2 - 2 | 0.36fr | 0.39fr |
3 - 4 | 0.34fr | 0.37fr |
5 - 9 | 0.32fr | 0.35fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 405 | 0.26fr | 0.28fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.38fr | 0.41fr |
2 - 2 | 0.36fr | 0.39fr |
3 - 4 | 0.34fr | 0.37fr |
5 - 9 | 0.32fr | 0.35fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.28fr | 0.30fr |
50 - 405 | 0.26fr | 0.28fr |
Diode BAW56W. Diode. RoHS: oui. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: anode commune. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra High Speed Switching. IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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