Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60fr | 2.81fr |
5 - 9 | 2.47fr | 2.67fr |
10 - 24 | 2.34fr | 2.53fr |
25 - 39 | 2.21fr | 2.39fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.60fr | 2.81fr |
5 - 9 | 2.47fr | 2.67fr |
10 - 24 | 2.34fr | 2.53fr |
25 - 39 | 2.21fr | 2.39fr |
Diode BYT08P-1000. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 65 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.