Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 7.51fr | 8.12fr |
2 - 2 | 7.13fr | 7.71fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 7.51fr | 8.12fr |
2 - 2 | 7.13fr | 7.71fr |
Diode, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V - BYT30P-1000. Diode, 30A, 200A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1000V. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 5mA. IRM (min): 100uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.9V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Nombre de connexions: 2. Remarque: partie métallique reliée à la cathode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=10ms. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 06:25.
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