Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.82fr | 0.89fr |
5 - 9 | 0.78fr | 0.84fr |
10 - 24 | 0.73fr | 0.79fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 81 | 0.68fr | 0.74fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.82fr | 0.89fr |
5 - 9 | 0.78fr | 0.84fr |
10 - 24 | 0.73fr | 0.79fr |
25 - 49 | 0.69fr | 0.75fr |
50 - 81 | 0.68fr | 0.74fr |
Diode EGP50G. Diode. Cj: 100pF. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Diode. IF(AV): 5A. IFSM: 150A. Remarque: Gl, S. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Spec info: 150Ap / 8.3ms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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