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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V - MUR1100E

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Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V - MUR1100E. Diode, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Equivalences: MUR1100ERLG. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 20:25.

Documentation technique

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Diode, 1000V, silicium, 1A. VRRM: 1000V. Boîtier: silicium. Courant redressé moyen par diode: 1A. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.7V / 1A. Type de montage: THT. Courant de fuite inverse: 10uA / 1000V. Temps de récupération inverse (max): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Série: UF40. MSL: 5uA..50uA
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