Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.22fr | 1.32fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.09fr | 1.18fr |
50 - 69 | 1.07fr | 1.16fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.29fr | 1.39fr |
5 - 9 | 1.22fr | 1.32fr |
10 - 24 | 1.16fr | 1.25fr |
25 - 49 | 1.09fr | 1.18fr |
50 - 69 | 1.07fr | 1.16fr |
Diode MUR860G. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 50 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement de puissance. Pour alimentations à découpage. IF(AV): 8A. IFSM: 100A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: U860. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: diode de redressement ultra rapide. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.
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