Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12fr | 1.21fr |
5 - 9 | 1.06fr | 1.15fr |
10 - 24 | 0.97fr | 1.05fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.85fr | 0.92fr |
250 - 1700 | 0.69fr | 0.75fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.12fr | 1.21fr |
5 - 9 | 1.06fr | 1.15fr |
10 - 24 | 0.97fr | 1.05fr |
25 - 49 | 0.89fr | 0.96fr |
50 - 99 | 0.87fr | 0.94fr |
100 - 249 | 0.85fr | 0.92fr |
250 - 1700 | 0.69fr | 0.75fr |
Diode P2000M. Diode. Cj: 110pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 20A. IFSM: 500A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P2000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--500Ap 50Hz(t=10ms), 550Ap 60Hz(t=8.3ms). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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