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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Diodes Diodes standard et de redressement

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V - RG2Y

Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V - RG2Y
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.77fr 0.83fr
5 - 9 0.73fr 0.79fr
10 - 24 0.70fr 0.76fr
25 - 32 0.66fr 0.71fr
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Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V - RG2Y. Diode, 1.5A, 50A, DO-15, D2A ( 4.0x7.2mm ), 70V. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): D2A ( 4.0x7.2mm ). VRRM: 70V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifier Diode. Remarque: SAMSUNG. IRM (max): 2.5mA. IRM (min): 0.5mA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Poids: 0.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Spec info: IFMS 50Ap. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.

Produits équivalents :

Quantité en stock : 2112
UF5404

UF5404

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure ...
UF5404
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 3A
UF5404
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 3A. Ifsm [A]: 60.4k Ohms. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 400V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 3A
Lot de 1
0.23fr TTC
(0.21fr HT)
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RGP15G

RGP15G

Diode, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 4...
RGP15G
Diode, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
RGP15G
Diode, DO-204, DO-204AC, 400V. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AC. VRRM: 400V. Matériau semi-conducteur: silicium. Remarque: commutation rapide. Remarque: 50App/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé
Lot de 1
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(0.50fr HT)
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