Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.71fr | 0.77fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.64fr | 0.69fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.59fr | 0.64fr |
100 - 249 | 0.58fr | 0.63fr |
250 - 590 | 0.55fr | 0.59fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.71fr | 0.77fr |
5 - 9 | 0.67fr | 0.72fr |
10 - 24 | 0.64fr | 0.69fr |
25 - 49 | 0.60fr | 0.65fr |
50 - 99 | 0.59fr | 0.64fr |
100 - 249 | 0.58fr | 0.63fr |
250 - 590 | 0.55fr | 0.59fr |
Diode RG4A. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 100us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 2V. VRRM: 600V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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