Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65fr | 1.78fr |
5 - 9 | 1.57fr | 1.70fr |
10 - 24 | 1.49fr | 1.61fr |
25 - 49 | 1.40fr | 1.51fr |
50 - 53 | 1.37fr | 1.48fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.65fr | 1.78fr |
5 - 9 | 1.57fr | 1.70fr |
10 - 24 | 1.49fr | 1.61fr |
25 - 49 | 1.40fr | 1.51fr |
50 - 53 | 1.37fr | 1.48fr |
Diode RG4C. Diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 2A. IFSM: 60A. Remarque: SAMSUNG 0402-000250. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 3V. Tension de seuil Vf (min): 3V. VRRM: 1000V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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