Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32fr | 0.35fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.29fr | 0.31fr |
50 - 99 | 0.27fr | 0.29fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 5272 | 0.24fr | 0.26fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.32fr | 0.35fr |
10 - 24 | 0.30fr | 0.32fr |
25 - 49 | 0.29fr | 0.31fr |
50 - 99 | 0.27fr | 0.29fr |
100 - 249 | 0.26fr | 0.28fr |
250 - 499 | 0.26fr | 0.28fr |
500 - 5272 | 0.24fr | 0.26fr |
Diode, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V - RGP02-20E. Diode, 0.5A, 20A, DO-15, DO-15 ( 2.7x5.2mm ), 2000V. IF(AV): 0.5A. IFSM: 20A. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 2000V. Cj: 5pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 300 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Spec info: IFSM--20Ap t=8.3mS. Quantité en stock actualisée le 20/04/2025, 09:25.
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