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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode RGP10D

Diode RGP10D
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Diode RGP10D. Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 200V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 250 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Remarque: GI, S. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement à commutation rapide. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 200uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-204. Boîtier (selon fiche technique): DO-204AL ( 2.7x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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