Diode RH2F

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Diode RH2F. Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4us. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'damper'. IF(AV): 1A. IFSM: 60A. Remarque: Samsung--32169-301-670. Remarque: Samsung--CK6813Z/SEH. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201 ( 4.4x7.5mm ). Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1500V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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