Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40fr | 1.51fr |
5 - 9 | 1.33fr | 1.44fr |
10 - 24 | 1.29fr | 1.39fr |
25 - 49 | 1.26fr | 1.36fr |
50 - 99 | 1.16fr | 1.25fr |
100 - 188 | 1.12fr | 1.21fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.40fr | 1.51fr |
5 - 9 | 1.33fr | 1.44fr |
10 - 24 | 1.29fr | 1.39fr |
25 - 49 | 1.26fr | 1.36fr |
50 - 99 | 1.16fr | 1.25fr |
100 - 188 | 1.12fr | 1.21fr |
Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V - TSSW3U60. Diode, 3A, 50A, SOD-123, SOD123W SMA (2.9x1.9mm), 60V. IF(AV): 3A. IFSM: 50A. Boîtier: SOD-123. Boîtier (selon fiche technique): SOD123W SMA (2.9x1.9mm). VRRM: 60V. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky à faible tension de seuil. Montage en surface (CMS). IRM (max): 1mA. Marquage sur le boîtier: W3U60. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--50Ap (tp=8.3ms). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.58V. Tension de seuil Vf (min): 0.39V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 16:25.
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