Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.30fr | 0.32fr |
2 - 2 | 0.29fr | 0.31fr |
3 - 4 | 0.27fr | 0.29fr |
5 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.26fr | 0.28fr |
25 - 49 | 0.24fr | 0.26fr |
50 - 1718 | 0.23fr | 0.25fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.30fr | 0.32fr |
2 - 2 | 0.29fr | 0.31fr |
3 - 4 | 0.27fr | 0.29fr |
5 - 9 | 0.26fr | 0.28fr |
10 - 24 | 0.26fr | 0.28fr |
25 - 49 | 0.24fr | 0.26fr |
50 - 1718 | 0.23fr | 0.25fr |
Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V - US1M. Diode, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Boîtier (selon fiche technique): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 5000. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. Equivalences: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--30Ap. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 03/07/2025, 16:25.
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