Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 8.87fr | 9.59fr |
2 - 2 | 8.42fr | 9.10fr |
3 - 4 | 7.98fr | 8.63fr |
5 - 9 | 7.54fr | 8.15fr |
10 - 19 | 7.36fr | 7.96fr |
20 - 29 | 7.18fr | 7.76fr |
30 - 99 | 6.92fr | 7.48fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 8.87fr | 9.59fr |
2 - 2 | 8.42fr | 9.10fr |
3 - 4 | 7.98fr | 8.63fr |
5 - 9 | 7.54fr | 8.15fr |
10 - 19 | 7.36fr | 7.96fr |
20 - 29 | 7.18fr | 7.76fr |
30 - 99 | 6.92fr | 7.48fr |
Diode VS-12F120. Diode. Structure diélectrique: boîtier relié à la cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Haute capacité de courant crête. IF(AV): 12A. IFSM: 265A. IRM (max): 12mA. RoHS: oui. Montage/installation: Fixation filetée. Boîtier: DO-203AB ( DO-5 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-203AB. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 0.88V. Tension de seuil Vf (min): 0.77V. VRRM: 1200V. Quantité par boîtier: 1. Nombre de connexions: 1. Remarque: filetage M5. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.
Renseignements et aide technique
Paiement et livraison
Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!
Tous droits réservés, RPtronics, 2024.