Diodes Zéner

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 22V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 24V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 12V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Tension Zéner: 24V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 27V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. VRRM: 27V. Tension Zéner: 27V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 30 v. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 33V. Tension Zéner: 33V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Type de diode: Diode Zéner. Tension Zéner: 36V. Puissance: 2W. Boîtier: DO-15

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 39V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 20V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 20 Ohms @ 10mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 47V. Tension Zéner: 47V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Zéner: 5.6V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 56V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 28V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 6.2V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 1.5V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Tension Zéner: 6.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 6.2V. Tension Zéner: 6.2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 62V. Tension Zéner: 62V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 68V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 34V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 25 Ohms @ 10mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 7.5V. Tension Zéner: 7.5V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 8.2V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 3.5V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 1 Ohms @ 100mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. VRRM: 8.2V. Tension Zéner: 8.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. RoHS: non. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (norme JEDEC): DO-204AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Tension de claquage Zéner Uz [V], nom.: 82V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 41V. Impédance Zéner Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 30 Ohms @ 10mA. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: diode zéner, puissance 2W (25°C), 5%, série ZY

Diode Zéner. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Tolérance: 5%. Température de fonctionnement: -50...+150°C. VRRM: 9.1V. Tension Zéner: 9.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation