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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode HFA50PA60CPBF

Diode HFA50PA60CPBF
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2 - 2 9.17fr 9.91fr
3 - 4 8.97fr 9.70fr
5 - 9 8.68fr 9.38fr
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15 - 19 8.20fr 8.86fr
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Diode HFA50PA60CPBF. Diode. RoHS: oui. Famille de composants: double diode de redressement rapide (tr<500ns). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 2x25A. Ifsm [A]: 225A. Tension directe Vfmax (V): 1.7V @ 25A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA..2mA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 75 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 14:25.

Documentation technique

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DSEK60-06A

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DSEK60-06A
Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V
DSEK60-06A
Diode, 30A, 300A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 30A. IFSM: 300A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: oui. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Trr Diode (Min.): 35 ns. Double: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 100uA. IRM (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--375Ap Tp--10uS. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V
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12.80fr TTC
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