Transistor IGBT HGTG20N60B3

Quantité	HT	TTC
1 - 1	12.77fr	13.80fr
2 - 2	12.13fr	13.11fr
3 - 4	11.88fr	12.84fr
5 - 9	11.49fr	12.42fr
10 - 14	11.24fr	12.15fr
15 - 19	10.86fr	11.74fr
20 - 56	10.47fr	11.32fr

Quantité	U.P
1 - 1	12.77fr	13.80fr
2 - 2	12.13fr	13.11fr
3 - 4	11.88fr	12.84fr
5 - 9	11.49fr	12.42fr
10 - 14	11.24fr	12.15fr
15 - 19	10.86fr	11.74fr
20 - 56	10.47fr	11.32fr

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Transistor IGBT HGTG20N60B3. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 07/07/2025, 18:25.

Documentation technique

Transistor IGBT HGTG20N60B3

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