Transistor HGTG20N60B3

Quantité	HT	TTC
1 - 1	5.70fr	6.16fr
2 - 2	5.41fr	5.85fr
3 - 4	5.13fr	5.55fr
5 - 9	4.84fr	5.23fr
10 - 19	4.73fr	5.11fr
20 - 29	4.61fr	4.98fr
30 - 189	4.44fr	4.80fr

Quantité	U.P
1 - 1	5.70fr	6.16fr
2 - 2	5.41fr	5.85fr
3 - 4	5.13fr	5.55fr
5 - 9	4.84fr	5.23fr
10 - 19	4.73fr	5.11fr
20 - 29	4.61fr	4.98fr
30 - 189	4.44fr	4.80fr

Livraison en 2-3 jours, avec suivi postal!

Quantité en stock : 189

Lot de 1

Transistor HGTG20N60B3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): UFS Series IGBT. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: HG20N60B3. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 40A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 25 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 220 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 165W. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Courant de collecteur maxi (A): 160A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 09:25.

Documentation technique