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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode HVM-12

Diode HVM-12
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1 - 4 2.24fr 2.42fr
5 - 9 2.13fr 2.30fr
10 - 24 2.01fr 2.17fr
25 - 38 1.90fr 2.05fr
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Diode HVM-12. Equivalences: 2CL3512H. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 16:25.

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BY16

BY16

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur ...
BY16
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D7.3x22mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 30A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 15V @ 0.3A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: oui. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 15V. VRRM: 16000V
BY16
Diode. RoHS: oui. Famille de composants: diode de redressement haute tension. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: D7.3x22mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.3A. Ifsm [A]: 30A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 16 kV. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension directe Vfmax (V): 15V @ 0.3A. Boîtier (norme JEDEC): silicium. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: oui. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 15V. VRRM: 16000V
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4.06fr TTC
(3.76fr HT)
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BY12

BY12

Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min....
BY12
Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. VRRM: 12000V
BY12
Diode. Cj: 1.8pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement haute tension. IF(AV): 0.5A. IFSM: 30A. IRM (max): 25uA. IRM (min): 1uA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 7.3x22mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): 7.3x22mm. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 10V. VRRM: 12000V
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