Transistor IXFK90N30

Quantité	HT	TTC
1 - 1	13.68fr	14.79fr
2 - 2	12.99fr	14.04fr
3 - 4	12.31fr	13.31fr
5 - 9	11.63fr	12.57fr
10 - 14	11.35fr	12.27fr
15 - 19	11.08fr	11.98fr
20+	10.67fr	11.53fr

Quantité	U.P
1 - 1	13.68fr	14.79fr
2 - 2	12.99fr	14.04fr
3 - 4	12.31fr	13.31fr
5 - 9	11.63fr	12.57fr
10 - 14	11.35fr	12.27fr
15 - 19	11.08fr	11.98fr
20+	10.67fr	11.53fr

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Transistor IXFK90N30. Transistor. C (in): 10000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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