Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.53fr | 1.65fr |
25 - 49 | 1.50fr | 1.62fr |
50 - 99 | 1.46fr | 1.58fr |
100 - 249 | 1.41fr | 1.52fr |
250+ | 1.36fr | 1.47fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.66fr | 1.79fr |
5 - 9 | 1.58fr | 1.71fr |
10 - 24 | 1.53fr | 1.65fr |
25 - 49 | 1.50fr | 1.62fr |
50 - 99 | 1.46fr | 1.58fr |
100 - 249 | 1.41fr | 1.52fr |
250+ | 1.36fr | 1.47fr |
Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V - MBR10200CT. Diode, 10A, 60.4k Ohms, TO-220, TO-220AC-3P, 200V. IF(AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: Double diode de redressement à barrière Schottky. IRM (max): 0.2mA. IRM (min): 0.2mA. Nombre de connexions: 3. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.99V. Tension de seuil Vf (min): 0.87V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 04/07/2025, 08:25.
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