Mémoires EPROM

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire PROM à accès parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 4Mbit. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire EPROM. Fonction: OTP EPROM. Date de production: 201506. Marquage sur le boîtier: 27C512R-70PU. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: PDIP. Boîtier (selon fiche technique): PDIP-28. Température de fonctionnement: -45...+85°C. Tension d'alimentation (op): 5V

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire PROM à accès parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 1Mbit. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 1Mbit. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP42. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 42. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 16Mbit. Configuration de la mémoire: 2MB x 8-bit/ 1MB x 16-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 2Mbit. Configuration de la mémoire: 256K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 2Mbit. Configuration de la mémoire: 256K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.25V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 4Mbit. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 4Mbit. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 120ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 4Mbit. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 45 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.25V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: PLCC32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: mémoire PROM à accès parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 4Mbit. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C

Mémoire EPROM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: CERDIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Type de mémoire: EPROM, parallèle. Famille de circuits mémoire: 27C. Taille de la mémoire [octet]: 8Mbit. Configuration de la mémoire: 1MB x 8-bit. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type d'interface: Parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C