Mémoires RAM

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Famille de circuits mémoire: 23LC. Taille de la mémoire [octet]: 1Mbit. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: SPI. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 20 MHz. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus série. Tension d'alimentation mini (V): +2.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: U62. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: U62. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: U62H. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: A62. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO28W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: AS6C. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP28. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: BS62LV. Taille de la mémoire [octet]: 32 KByte. Configuration de la mémoire: 32K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: BS62LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.4V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Famille de circuits mémoire: DS12. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: DS12. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 150 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-44. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 44. Famille de circuits mémoire: IS61LV. Taille de la mémoire [octet]: 256 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 16-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 10 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +3V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: K6R. Taille de la mémoire [octet]: 128 KByte. Configuration de la mémoire: 128K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 10 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: non. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TSOP2-F32. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: K6T. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP24. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 24. Famille de circuits mémoire: M48T. Taille de la mémoire [octet]: 2 KByte. Configuration de la mémoire: 2K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 70 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP28. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 28. Famille de circuits mémoire: M48Z. Taille de la mémoire [octet]: 8 KByte. Configuration de la mémoire: 8K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Signal d'horloge max (MHz): 100 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM sauvegardée par pile, accès parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.75V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Boîtier (norme JEDEC): montage traversant pour circuit imprimé

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: circuit intégré d'interface. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Nombre de circuits de commande: 0. Nombre de circuits de réception: 4. Type de communication: Duplex. Désactivable: oui. Vitesse de communication max.[bit]: 10Mbit. Plage de température de fonctionnement min (°C): 0°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +70°C. Type de circuits: interface série, récepteur différentiel. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V. Nombre de circuits récepteurs sur la ligne, max: 128

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: R1LP. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +4.5V. Tension d'alimentation maxi (V): +5.5V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: R1LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V

Mémoire RAM. RoHS: oui. Famille de composants: Circuit intégré mémoire. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO32W. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 32. Famille de circuits mémoire: R1LV. Taille de la mémoire [octet]: 512 KByte. Configuration de la mémoire: 512K x 8-bit. Type d'interface: Parallèle. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Signal d'horloge max (MHz): 55 ns. Type de mémoire: mémoire SRAM, accès bus parallèle. Tension d'alimentation mini (V): +2.7V. Tension d'alimentation maxi (V): +3.6V