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Diode MUR1100E

Diode MUR1100E
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10 - 24 0.51fr 0.55fr
25 - 49 0.48fr 0.52fr
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Diode MUR1100E. Diode. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast “E” Series with High Reverse. IF(AV): 1A. IFSM: 35A. Equivalences: MUR1100ERLG. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 1000. Spec info: IFSM. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.

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