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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Paire de transistors MOSFET N-P

Paire de transistors MOSFET N-P

54 produits disponibles
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Quantité en stock : 240
AF4502C

AF4502C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4502C. Nombre de connexions: 8. Dis...
AF4502C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4502C. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)
AF4502C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4502C. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.011 Ohms (Q1), 0.1016 Ohms (Q2)
Lot de 1
2.69fr TTC
(2.49fr HT)
2.69fr
En rupture de stock
AO4600

AO4600

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Nombre de connexions...
AO4600
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
AO4600
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.027R&0.049R (27 & 49m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
Lot de 1
4.27fr TTC
(3.95fr HT)
4.27fr
Quantité en stock : 22
AO4601

AO4601

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Nombre de connexions...
AO4601
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
AO4601
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.055R&0.019R (55 & 19m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
Lot de 1
1.36fr TTC
(1.26fr HT)
1.36fr
Quantité en stock : 2
AO4604

AO4604

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Nombre de connexions...
AO4604
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
AO4604
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 0.028R&0.035R (28 & 35m Ohms). Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P
Lot de 1
8.19fr TTC
(7.58fr HT)
8.19fr
Quantité en stock : 246
AO4606

AO4606

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
AO4606
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: remplace le MOSFET
AO4606
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Résistance passante Rds On: 28/35m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SOP-8. Quantité par boîtier: 2. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: remplace le MOSFET
Lot de 1
1.21fr TTC
(1.12fr HT)
1.21fr
Quantité en stock : 40
AO4607

AO4607

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
AO4607
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A
AO4607
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms. Technologie: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P, SCHOTTKY VDS=30V, IF=3A
Lot de 1
2.24fr TTC
(2.07fr HT)
2.24fr
Quantité en stock : 67
AO4611

AO4611

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Foncti...
AO4611
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms
AO4611
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Quantité par boîtier: 2. Type de transistor: MOSFET. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Spec info: 0.025 Ohms & 0.042 Ohms
Lot de 1
1.50fr TTC
(1.39fr HT)
1.50fr
Quantité en stock : 210
AO4614B

AO4614B

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Idss: ...
AO4614B
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Idss: 1...5uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 2. Remarque: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms
AO4614B
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Idss: 1...5uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 16.2/4.8 ns. Td(on): 6.4 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 2. Remarque: IDM--30Ap & 30Ap. Spec info: 0.024 Ohms & 0.036 Ohms
Lot de 1
0.88fr TTC
(0.81fr HT)
0.88fr
Quantité en stock : 245
AO4619

AO4619

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Nombre de...
AO4619
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms
AO4619
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: Transistor MOSFET. Rds (ON) très faible. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.024 Ohms & 0.048 Ohms
Lot de 1
0.95fr TTC
(0.88fr HT)
0.95fr
Quantité en stock : 27
AO4620

AO4620

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
AO4620
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm
AO4620
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: transistors MOSFET complémentaires, canal N et canal P. Spec info: 0.024 Ohm & 0.038 Ohm
Lot de 1
0.82fr TTC
(0.76fr HT)
0.82fr
Quantité en stock : 9
AOP605

AOP605

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marqua...
AOP605
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marquage sur le boîtier: P605. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)
AOP605
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Marquage sur le boîtier: P605. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)
Lot de 1
2.92fr TTC
(2.70fr HT)
2.92fr
Quantité en stock : 938
AOP607

AOP607

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre...
AOP607
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)
AOP607
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: FET en mode d'amélioration complémentaire. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.035 Ohms (VGS=10V)
Lot de 1
0.99fr TTC
(0.92fr HT)
0.99fr
Quantité en stock : 97
AP4501GM

AP4501GM

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4501GM. Nombre de connexions: 8. Di...
AP4501GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4501GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)
AP4501GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 4501GM. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.050 Ohms (Q2)
Lot de 1
1.47fr TTC
(1.36fr HT)
1.47fr
Quantité en stock : 11
AP4506GEH

AP4506GEH

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/insta...
AP4506GEH
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P)
AP4506GEH
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4L ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: ID(AV)--N--9A P--8A. Remarque: Rds-on 0.024 Ohms (N), 0.036 Ohms (P). Remarque: Vdss 30V (N), -30V (P)
Lot de 1
6.31fr TTC
(5.84fr HT)
6.31fr
Quantité en stock : 162
AP4511GD

AP4511GD

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
AP4511GD
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DIP-8. Boîtier: DIP. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms
AP4511GD
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DIP-8. Boîtier: DIP. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms
Lot de 1
2.68fr TTC
(2.48fr HT)
2.68fr
Quantité en stock : 33
AP4511GM

AP4511GM

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
AP4511GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms
AP4511GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.025 Ohms & 0.040 Ohms
Lot de 1
2.14fr TTC
(1.98fr HT)
2.14fr
Quantité en stock : 37
AP4525GEH

AP4525GEH

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
AP4525GEH
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms
AP4525GEH
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: *SMD TO-252-4L*. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms
Lot de 1
4.06fr TTC
(3.76fr HT)
4.06fr
Quantité en stock : 275
AP4525GEM

AP4525GEM

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
AP4525GEM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms
AP4525GEM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Spec info: 0.028 Ohms & 0.042 Ohms
Lot de 1
2.61fr TTC
(2.41fr HT)
2.61fr
Quantité en stock : 174
AP9930GM

AP9930GM

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Nombre de connexions:...
AP9930GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms
AP9930GM
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: 2N-ch and 2P-ch POWER MOSFET. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 4. Spec info: Rds-on 0.033 Ohms / 0.055 Ohms
Lot de 1
2.19fr TTC
(2.03fr HT)
2.19fr
Quantité en stock : 4
APM4546J

APM4546J

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à can...
APM4546J
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Remarque: Vds 30V & 30V
APM4546J
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Enhancement Mode DUAL MOSFET (N-and P-Channel)'. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Remarque: Id--8A/30Ap & 6A/20Ap. Remarque: Rds-on 0.025 Ohms / 0.040 Ohms. Remarque: Vds 30V & 30V
Lot de 1
6.01fr TTC
(5.56fr HT)
6.01fr
Quantité en stock : 255
BSS8402DW

BSS8402DW

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: KNP. RoHS: oui. Montage/installatio...
BSS8402DW
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: KNP. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET en mode d'amélioration de paire complémentaire. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS KNP. Fonction: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns
BSS8402DW
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: KNP. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: MOSFET en mode d'amélioration de paire complémentaire. Boîtier: SOT-363 ( SC-88 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-363. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Remarque: sérigraphie/code CMS KNP. Fonction: td(on) 7&10ns, td(off) 11&18ns
Lot de 1
0.51fr TTC
(0.47fr HT)
0.51fr
Quantité en stock : 131
FDC6420C

FDC6420C

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 420. Dissipation de puissance maxi:...
FDC6420C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 420. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Fonction: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Remarque: sérigraphie/code CMS 420
FDC6420C
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Marquage sur le boîtier: 420. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: TSOP. Boîtier (selon fiche technique): SUPERSOT-6. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 6. Fonction: Rds-on 0.07 Ohms (Q1), 0.125 Ohms (Q2). Remarque: sérigraphie/code CMS 420
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FDS4559

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Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Conditionnement: rouleau. Nombre de connexions: 8. Dissipatio...
FDS4559
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Conditionnement: rouleau. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2)
FDS4559
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Conditionnement: rouleau. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: omplementary PowerTrench MOSFET. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.042 Ohms (Q1), 0.082 Ohms (Q2). Unité de conditionnement: 2500. Spec info: transistor canal N (Q1), transistor canal P (Q2)
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FDS8958A

FDS8958A

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. R...
FDS8958A
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.028 Ohms (Q1), 0.052 Ohms (Q2)
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Transistor MOSFET. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Idss (min): 1uA. Nombre de con...
FDS8958B
Transistor MOSFET. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
FDS8958B
Transistor MOSFET. C (in): 760pF. C (out): 155pF. Type de canal: N-P. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 1uA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: paire de transistors MOSFET complémentaires à canal N et canal P. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2. Fonction: Rds-on 0.026 Ohms (Q1), 0.051 Ohms (Q2). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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