Ponts de redressement à diodes

Pont redresseur, 8A, 1000V. IF(AV): 8A. VRRM: 1000V. Fonction: Pont redresseur. Série: KBU. Boîtier: SIL. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Pont redresseur, 8A, 100V, 270A. Courant nominal [A]: 8A. Tension de crête Urrm [V]: 100V. Courant de crête Ifsm [A]: 270A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 23.5x5.7x19.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 8A, 600V, 270A. Courant nominal [A]: 8A. Tension de crête Urrm [V]: 600V. Courant de crête Ifsm [A]: 270A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 23.5x5.7x19.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 8A, 800V, 270A. Courant nominal [A]: 8A. Tension de crête Urrm [V]: 800V. Courant de crête Ifsm [A]: 270A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 23.5x5.7x19.3mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 1000V, 0.5A. VRRM: 1000V. IF(AV): 0.5A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 25A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Equivalences: MB10S. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.5mm. Dimensions: 4.8x3.8x1.4mm. RoHS: oui. Spec info: épaisseur maxi 1.6mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): MBF. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Pont redresseur, 1000V, 0.8A. VRRM: 1000V. IF(AV): 0.8A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Equivalences: MB10F. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.5mm. Dimensions: 4.8x3.9x2.5mm. RoHS: oui. Spec info: épaisseur maxi 2.7mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): MBF. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Pont redresseur, 0.5A, 600V, 32A. Courant nominal [A]: 0.5A. Tension de crête Urrm [V]: 600V. Courant de crête Ifsm [A]: 32A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 600V, 0.5A. VRRM: 600V. IF(AV): 0.5A. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: redresseur sur secteur 230V. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: B6. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dimensions: dimensions du boîtier 4.1x4.95mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TO-269AA (MBS). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Pont redresseur, 0.5A, 800V, 32A. Courant nominal [A]: 0.5A. Tension de crête Urrm [V]: 800V. Courant de crête Ifsm [A]: 32A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 0.5A, 250V, 20A. Courant nominal [A]: 0.5A. Tension de crête Urrm [V]: 250V. Courant de crête Ifsm [A]: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MicroDIL. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 0.5A, 600V, 20A. Courant nominal [A]: 0.5A. Tension de crête Urrm [V]: 600V. Courant de crête Ifsm [A]: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 3x3x1.8mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 0.5A, 160V, 20A. Courant nominal [A]: 0.5A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 3x3x1.8mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 10A, 200V, 135A. Courant nominal [A]: 10A. Tension de crête Urrm [V]: 200V. Courant de crête Ifsm [A]: 135A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 15.1x15.1x6.3 mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 1200V, 68A. VRRM: 1200V. IF(AV): 68A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Fonction: pont de redressement triphasé. Pont de diodes triphasé. IFSM: 300A. IRM (max): 3mA. IRM (min): 0.5mA. Dimensions des connexions: 0.75x12.3mm. Nombre de connexions: 5. Dimensions: 47x30x8mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 300A, t=8.3ms (60Hz) 320A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.46V. Tension de seuil Vf (min): 1.46V

Pont redresseur, 1200V, 86A. VRRM: 1200V. IF(AV): 86A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Fonction: pont de redressement triphasé. Pont de diodes triphasé. IFSM: 530A. IRM (max): 3mA. IRM (min): 0.5mA. Dimensions des connexions: 0.75x12.3mm. Nombre de connexions: 5. Dimensions: 47x30x8mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--45° t=10ms (50Hz) 530A, t=8.3ms (60Hz) 570A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): ECO-PAC 1. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V

Pont redresseur. Distance entre connexions (pas): 7.5mm. Dimensions: 25x15x4.5mm

Pont redresseur, 250V, 5A. VRRM: 250V. IF(AV): 5A. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: pont de redressement monophasé. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: B250C5000A. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Boîtier (selon fiche technique): 40x21x6.5mm. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Pont redresseur, 100V, 6A. VRRM: 100V. IF(AV): 6A. Cj: 186pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 250A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.08x5.08mm. Dimensions: 23x17x6.5mm. RoHS: oui. Spec info: IFSM--200Ap (t=8.3ms). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V

Pont redresseur, 1000V, 3A. VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. Fonction: Pont redresseur. Spécificité: rapide. Trr: 500nsec. Tension de seuil Vf: 1.3V. Série: YBS. Dimensions: 6.6x7.3x1.4mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS)

Pont redresseur, 0.8A, 250V, 40A. Courant nominal [A]: 0.8A. Tension de crête Urrm [V]: 250V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: TO-269AA. Boîtier (norme JEDEC): TO-269AA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 600V, 1A. VRRM: 600V. IF(AV): 1A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4

Pont redresseur, 800V, 1A. VRRM: 800V. IF(AV): 1A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4

Pont redresseur, 600V, 1A. VRRM: 600V. IF(AV): 1A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4

Pont redresseur, 600V. VRRM: 600V. Boîtier: SMD. Courant redressé moyen (max): 0.8A. Type de diode: Monophasé. Série: S250

Pont redresseur, 800V, 0.8A. VRRM: 800V. IF(AV): 0.8A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pont redresseur. IFSM: 40A. IRM (max): 1mA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TO-269AA (MBS). Boîtier (selon fiche technique): MiniDIL / SLIM. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V