Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88fr | 2.03fr |
5 - 9 | 1.79fr | 1.93fr |
10 - 24 | 1.69fr | 1.83fr |
25 - 49 | 1.60fr | 1.73fr |
50 - 67 | 1.56fr | 1.69fr |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.88fr | 2.03fr |
5 - 9 | 1.79fr | 1.93fr |
10 - 24 | 1.69fr | 1.83fr |
25 - 49 | 1.60fr | 1.73fr |
50 - 67 | 1.56fr | 1.69fr |
Diode RG4Z. Diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra-rapide. IF(AV): 3A. IFSM: 80A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 6.5x8.0mm ). Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 200V. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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