Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.48fr | 0.52fr |
5 - 9 | 0.46fr | 0.50fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 99 | 0.35fr | 0.38fr |
100 - 149 | 0.29fr | 0.31fr |
150 - 792 | 0.27fr | 0.29fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.48fr | 0.52fr |
5 - 9 | 0.46fr | 0.50fr |
10 - 24 | 0.43fr | 0.46fr |
25 - 49 | 0.37fr | 0.40fr |
50 - 99 | 0.35fr | 0.38fr |
100 - 149 | 0.29fr | 0.31fr |
150 - 792 | 0.27fr | 0.29fr |
Transistor 2N3904. Transistor. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.
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