Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.70fr | 0.76fr |
2 - 2 | 0.66fr | 0.71fr |
3 - 4 | 0.63fr | 0.68fr |
5 - 9 | 0.59fr | 0.64fr |
10 - 24 | 0.51fr | 0.55fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 435 | 0.44fr | 0.48fr |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.70fr | 0.76fr |
2 - 2 | 0.66fr | 0.71fr |
3 - 4 | 0.63fr | 0.68fr |
5 - 9 | 0.59fr | 0.64fr |
10 - 24 | 0.51fr | 0.55fr |
25 - 49 | 0.47fr | 0.51fr |
50 - 435 | 0.44fr | 0.48fr |
Transistor 2N3906. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor Planaire Si-Epitaxial. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo-Pack. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.
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