Transistor 2N5109

Quantité	HT	TTC
1 - 1	6.14fr	6.64fr
2 - 2	5.83fr	6.30fr
3 - 4	5.52fr	5.97fr
5 - 9	5.22fr	5.64fr
10 - 19	5.09fr	5.50fr
20 - 23	4.97fr	5.37fr

Quantité	U.P
1 - 1	6.14fr	6.64fr
2 - 2	5.83fr	6.30fr
3 - 4	5.52fr	5.97fr
5 - 9	5.22fr	5.64fr
10 - 19	5.09fr	5.50fr
20 - 23	4.97fr	5.37fr

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Quantité en stock : 23

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Transistor 2N5109. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.2GHz. Gain hFE maxi: 210. Gain hFE mini: 70. Courant de collecteur: 0.4A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Vebo: 3V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 13:25.

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